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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
11.8
13.4
写入速度,GB/s
7.3
7.8
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2242
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
Mushkin 994052 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Elpida EBE10UE8ACWA-8G-E 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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