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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
10.4
16.8
写入速度,GB/s
7.8
15.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3423
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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