RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2346
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link