RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2346
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link