RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
6.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2014
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link