RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
62
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
1808
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link