RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
62
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
62
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
1808
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link