RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2532
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link