Comparación de la memoria RAM Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Puntuación global

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 43

En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

11.8 11.4

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.5 7.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 12800

En 1.33 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2057 2532

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns