RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
63
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3491
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link