RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
63
Autour de -133% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3491
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link