RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
63
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3491
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link