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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
2631
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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