RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сравнить
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB против Kingston 9905625-076.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2180
2631
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link