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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
25
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2180
2631
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM-Vergleiche
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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