RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
10.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2480
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link