RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation M424051 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
97
Rund um 72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation M424051 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
97
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
5.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
1270
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link