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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation M424051 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
97
En 72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
5.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation M424051 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
97
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
1270
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Panram International Corporation M424051 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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