RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
27
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2980
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link