RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
40
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
9.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2462
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link