RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2462
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link