RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
3486
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link