RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
AMD R744G2133U1S 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R744G2133U1S 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
42
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2415
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link