RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs AMD R744G2133U1S 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
AMD R744G2133U1S 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 8.8
    テスト平均値
AMD R744G2133U1S 4GB 考慮すべき理由
AMD R744G2133U1S 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 42
    周辺 -45% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 13.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2423 left arrow 2415

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAMの比較

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
メモリRAM