RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
42
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3650
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link