RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3525
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link