RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
42
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3505
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link