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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
42
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3283
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
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