RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
42
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3111
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link