RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3111
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link