RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2931
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link