RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
42
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3546
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link