RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
42
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3546
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link