RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3673
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link