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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

总分
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

总分
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB 需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 42
    左右 -50% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.5 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.3 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    10.6 left arrow 17.5
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 15.3
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2423 left arrow 3673

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
内存RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
内存RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
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内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
内存RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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内存RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Kingston K000MD44U 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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