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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
48
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
36
读取速度,GB/s
8.9
15.7
写入速度,GB/s
5.9
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3035
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
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Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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