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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
48
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
36
读取速度,GB/s
8.9
15.7
写入速度,GB/s
5.9
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3035
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Lenovo 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
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