RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
103
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
103
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
1520
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link