RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
42
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2409
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link