RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2409
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link