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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
122
Rund um 66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
122
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
5.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
1411
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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