RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
122
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
122
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1411
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link