RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs INTENSO 5641152 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
INTENSO 5641152 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
INTENSO 5641152 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
42
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2215
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
INTENSO 5641152 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link