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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641152 4GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs INTENSO 5641152 4GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
INTENSO 5641152 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641152 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641152 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
10.6
14.1
写入速度,GB/s
9.0
6.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2215
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM的比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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