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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
42
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
1832
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
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