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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
42
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1832
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
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