RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
42
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2498
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link