RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
51
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2387
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link