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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
51
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.6
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
51
读取速度,GB/s
10.6
10.4
写入速度,GB/s
9.0
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2387
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K000MD44U 4GB
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Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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