RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2833
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link