RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2833
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link