RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2833
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link